三星稱將本月開始量產UFS 4.0閃存芯片
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三星稱將本月開始量產UFS 4.0閃存芯片,三星官方稱,UFS 4.0閃存將成爲旗艦智能手機的關鍵部件,未來還將用於其他移動設備、VR/AR設備等。三星稱將本月開始量產UFS 4.0閃存芯片。
在2022年閃存峯會期間,三星對其各種計劃進行了一些更新,其中包括啓動UFS 4.0存儲的批量生產。根據三星的說法,這種新的,更高效的閃存芯片標準將用於各種產品。
“業界首款UFS 4.0移動存儲,由三星於5月開發,計劃於本月投入量產。新的UFS 4.0將成爲旗艦智能手機的關鍵組件,這些智能手機需要大量的數據處理,以實現高分辨率圖像和圖形密集型手機遊戲等功能,並將用於移動設備,VR和AR等。
當你聽到“UFS”這個詞時,一個直接的反應是,這項技術在智能手機中被廣泛應用。儘管三星尚未明確提及哪些產品將採用其UFS 4.0存儲,但我們很有可能在Galaxy S23系列中看到它們,該系列可能於明年推出。
隨着本月開始量產,大家可能會認爲UFS 4.0閃存將在即將推出的iPhone 14系列中應用。可惜的是,蘋果熱衷於NVMe存儲,因此不太可能在其iPhone上使用三星最新的存儲技術。
回顧一下,UFS 4.0使用三星的Gen 7 V-NAND內存和專有控制器,可以達到高達4200MB / s的順序讀取速度和高達2800MB / s的順序寫入速度,這種技術又將智能手機的速度提升一個新高度,我們很期待它的到來。
此外,UFS 4.0 支持每個通道高達 23.2Gbps,這是 UFS 3.1 標準速度的兩倍。假設性能和內存帶寬增加不是優先事項。在這種情況下,應該知道,與上一代產品相比,最新標準在順序讀取速度方面引入了46%的能效。
新的UFS 4.0存儲可以配置爲支持高達1TB的存儲,這意味着更多的高級智能手機將配備更高的板載內存版本。
三星在加利福利亞舉行的2022年閃存峯會上宣佈,今年5月份發佈的業內首個UFS 4.0閃存,計劃在本月開始量產。一切順利的話,明年的旗艦機就能用上這款最新的閃存顆粒,能讓手機的性能進一步提升。
(圖源:三星官方)
三星官方稱,UFS 4.0閃存將成爲旗艦智能手機的關鍵部件,未來還將用於其他移動設備、VR/AR設備等。官方數據顯示,UFS 4.0閃存的.每通道帶寬速度高達23.2Gbps,是目前UFS 3.1的兩倍左右。配合三星第七代V-NAND技術和專用控制器,它能帶來4200MB/s的順序讀取速度,和2800MB/s的順序寫入速度。
讀寫速度提升還是其次,UFS 4.0閃存最大的提升,是能效得到大幅提高,單位功耗比上一代提升46%,每1mA電流可支持6MB/s的順序讀取速度。也就意味着,在同等功耗下,UFS 4.0閃存能帶來更快的傳輸速率,如果保持與上一代相同的速率,則可以節省近一半的電量,大幅延長手機的續航時長。
(圖源:三星官方)
智能手機進入5G時代後,由於在機身內塞入了更多的天線,基帶芯片功耗更高,導致手機的續航大幅縮水。以前3000mAh的電池能用一天,現在4500mAh估計還得一天一充。手機的耗電大戶還不止5G網絡,高分辨率高刷屏、更強的處理器以及影像系統,也讓手機續航變得格外拘謹,廠商不得不以犧牲手感爲代價,在機身內塞入更大的電池。
可以發現,近兩年手機上的很多技術,不再一味地提高性能,大家也把降低功耗列爲主要升級方向。如最新的LPDDR5X內存,在LPDDR5的基礎上性能提升33%,同時功耗降低了20%。如果稍微限制一下內存的極限性能,能帶來很出色的省電效果,日常的體驗有相當明顯的提升。三星這次帶來的UFS 4.0閃存也同樣如此,不追求滿血性能的話,功耗表現也會相當亮眼。
(圖源:三星官方)
下半年登場的驍龍8+ Gen1的表現大家都有目共睹,大家肯定對驍龍8 Gen2越發期待。明年的安卓旗艦除了有新處理加持,現在又多了LPDDR5X內存和UFS 4.0閃存,性能暴增的同時功耗也將進一次降低,如此大的提升你難道沒有想換手機的衝動嗎?
你的手機在用哪種規格的閃存?eMMC還是UFS?
繼今年5月宣佈開發出業內首款UFS 4.0存儲產品後,三星於今日(8月3日)在2022閃存峯會上宣佈,UFS 4.0閃存本月投入量產。
三星表示,UFS 4.0會率先用於旗艦級智能手機上,從而滿足處理高分辨率圖像、重負載遊戲時更高的數據吞吐速度需求。未來,UFS 4.0還會在更多移動設備、AR、VR設備上普及。
從時間安排來看,三星8月10日就要發佈Galaxy Z Fold 4/Filp 4摺疊屏手機了,它們倒是有可能首發UFS 4.0。不過,高通的驍龍8+處理器並未提到支持UFS 4.0。
還有觀點認爲,UFS 4.0旗艦機實際要等到11月驍龍8 Gen2平臺的產品,比如小米13系列、三星Galaxy S23系列等。
據瞭解,UFS 4.0的每通道帶寬速度增至23.2Gbps,是UFS 3.1的兩倍。基於三星的第七代V-NAND閃存和自研主控,實測連續讀速可達4200MB/s、連續寫速可達2800MB/s。
可做對比的是,目前業內性能最好的三星512GB UFS 3.1閃存芯片(2020年3月發佈),標稱連續讀速最高2100MB/s,寫速1200MB/s。對比換算的話,UFS 4.0的寫入提升了1.3倍。
在提速的同時,UFS 4.0閃存的優勢還有單位功耗更低、封裝尺寸更小、單芯片容量可做到1TB。
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